Fique Por Dentro Das Inocações Da Embedded World 2025
A Farnell preparou um conteúdo especial para quem quer se atualizar com as principais tendências em eletrônica embarcada. Na publicação, você confere um resumo completo das tecnologias e demonstrações que marcaram presença no estande da empresa durante a Embedded World Exhibition & Conference em março de 2025.
Além disso, o material traz vídeos exclusivos da palestra do Prof. Dominik Bösl e outras novidades que prometem inspirar profissionais e entusiastas do setor.
A Farnell faz parte do grupo global Premier Farnell, que também está presente na América como Newark Electronics – um dos maiores distribuidores de tecnologia, componentes eletrônicos e soluções para design e manufatura.
Avanços em Potência: Como o SiC e o GaN Estão Transformando a Eletrônica de Potência
A indústria da eletrônica de potência está passando por uma verdadeira revolução com a chegada dos semicondutores de banda larga – mais especificamente, o Carboneto de Silício (SiC) e o Nitreto de Gálio (GaN). Esses materiais estão superando as limitações do silício tradicional ao oferecer maior eficiência, melhor desempenho térmico e velocidades de comutação mais rápidas.
Enquanto o SiC se destaca em aplicações de alta potência e alta tensão, como inversores de veículos elétricos e sistemas industriais, o GaN é ideal para aplicações de alta frequência e menor potência, como fontes de alimentação para eletrônicos de consumo, amplificadores de RF e infraestrutura de telecomunicações 5G.
Essas tecnologias permitem soluções mais compactas, eficientes e confiáveis, marcando o futuro da conversão de energia em setores como mobilidade elétrica, energia renovável, telecomunicações e muito mais.
Desempenho Elevado, Eficiência Incomparável. Conheça os Novos MOSFETs CoolSiC™ da Infineon Technologies!
A Infineon Technologies expande sua liderança em semicondutores de potência com os novos módulos MOSFET CoolSiC™, desenvolvidos para atender às exigências de sistemas com alta densidade de potência e eficiência.
Baseados em Carbeto de Silício (SiC), esses módulos operam em frequências e temperaturas mais elevadas, possibilitando a redução da complexidade dos sistemas, diminuição do volume e custo total da solução.
🔍 Destaques técnicos:
- Tensão nominal: 400 V / 650 V / 1200 V / 2000 V.
- Baixíssimo RDS(on): de 52,9 mΩ a 1,44 mΩ.
- Topologias: half-bridge, fourpack, sixpack, booster e 3-level.
- Design de trincheira G2 com alta robustez de óxido de gate.
- Opções com TIM pré-aplicado e cerâmica AlN de alta condutividade térmica.
- Portfólio disponível nas famílias EasyPACK™, EasyDUAL™ e 62 mm.
Aplicações típicas incluem inversores fotovoltaicos, sistemas de armazenamento de energia, carregadores para veículos elétricos, fontes industriais e acionamentos de motores.
Com mais de 20 anos de experiência em SiC e controle total da cadeia produtiva, a Infineon oferece confiabilidade, suporte técnico e integração otimizada para projetos de conversão de energia.
Tel: (11)4066-9400 www.laterebr.com.br vendas@laterebr.com.br
